SK하이닉스는 25일 실적발표컨퍼런스콜에서 “올해 연말까지 D램과 3D 낸드 일부 케파 증가를 계획하고 있다”라며 “D램 공정전환으로는 수요 증가를 충족시킬 수 없어 신규 케파를 통해 수요를 잡을 것”이라고 밝혔다.
이어 “M14 2층이 50% 설비로 차있고 실제 생산은 2분기부터 투입됐다”며 “3분기에 실제 낸드 빗 그로스 (메모리 용량을 1비트 단위로 환산해 계산한 메모리 반도체의 생산량 증가율)에 기여할 것”이라고 덧붙였다.
SK하이닉스는 25일 실적발표컨퍼런스콜에서 “올해 연말까지 D램과 3D 낸드 일부 케파 증가를 계획하고 있다”라며 “D램 공정전환으로는 수요 증가를 충족시킬 수 없어 신규 케파를 통해 수요를 잡을 것”이라고 밝혔다.
이어 “M14 2층이 50% 설비로 차있고 실제 생산은 2분기부터 투입됐다”며 “3분기에 실제 낸드 빗 그로스 (메모리 용량을 1비트 단위로 환산해 계산한 메모리 반도체의 생산량 증가율)에 기여할 것”이라고 덧붙였다.