광전자가 미래창조과학부, 한국전자통신연구원과 6인치 FAB을 기반으로 한 에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC다이오드 개발과 관련한 기술제휴 계약을 체결했다고 29일 공시했다. 개발기간은 2017년 5월31일까지다.
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