2012년 신규 사업 매출 비중 15%...2017년 30%로 확대
하이닉스반도체가 ‘양적 및 질적 균형성장’을 표방하며 제2 창업 비전을 달성하기 위한 중장기 비전을 25일 내놨다.
중장기 계획안에 따르면 하이닉스는 연평균 20% 이상의 성장을 통해 2010년까지 매출 180억달러를 달성, 세계 반도체 업계 3위에 진입한다는 계획이다.
김종갑 하이닉스 사장은 이날 ‘글로벌 Top 실현 로드맵’ 사내 워크숍 등을 통해 2010년 매출 180억 달러의 매출을 달성하겠다고 밝혔다.
메모리 반도체 가운데 D램이 주력인 하이닉스는 지난해 80억 달러 가량의 매출로 인텔, 삼성전자, 도시바, TI에 이어 5위에 랭크됐었다.
김 사장은 이날 “하이닉스는 주로 양적 성장을 통해 세계 5위 반도체 회사로 도약하고 있으며 그간 재무적 어려움으로 미래 준비가 부족했다”며 “앞으로 연구개발, 신규 사업 진출을 위한 과감한 투자를 통해 질적인 성장세를 더함으로써 성장 모드로 전환하겠다”고 말했다.
이와 함께 하이닉스는 고부가가치 산업 창출을 위해 3년간 미래기술을 준비한 뒤, 5년 뒤인 2012년까지 본격적으로 신규 사업을 육성할 계획이다.
이를 위해 2009년까지 P램 시장진입에 박차를 가할 것이며, 차세대 메모리와 비메모리를 포함해 2017년에는 매출의 30% 이상을 메모리와 비메모리 사업이 차지할 것이라고 밝혔다.
하이닉스는 이 같은 중장기 비전을 실현하기 위해 현재 40%인 300mm 팹 비율을 2012년까지 90% 이상으로 끌어 올릴 방침이다.
경쟁력이 한계에 도달한 200mm팹은 단계적으로 300mm로 전환하거나, 부가가치가 높은 신규 사업을 위해 활용된다.
또 2012년까지 연구개발(R&D) 분야의 투자금액을 매출의 10%까지 높이고, 현재 2000명 수준의 연구인력을 5000명 수준으로 확대할 계획이다.