삼성전자, 50나노급 1기가 DDR2 D램 인텔 인증 획득

입력 2007-07-19 14:31

삼성전자가 세계 최초로 개발한 50나노급 1기가 DDR2 D램이 인텔 인증을 획득했다.

삼성전자는 이번 인증 획득으로 DDR2 제품 중 최고속인 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리) 제품에 대해 양산 가능한 수준의 제품 특성을 확보했음을 공인 받았다는데 큰 의미가 있다고 19일 밝혔다.

또한 삼성전자는 올해 3월부터 업계 최초로 60나노급 1기가 DDR2 D램을 양산 개시해 70∼80나노급 제품을 양산하고 있는 업계 수준에 비해 크게 앞서고 있다.

이러한 가운데 50나노급 D램 최초 인증을 통해 삼성의 차세대 D램 기술이 절대 우위에 있음을 다시 한 번 증명했다.

이번에 공식적으로 검증된 삼성전자의 50나노급 1기가 DDR2 D램은 현재 주력 양산 공정인 80나노 대비 2배, 60나노급 1기가 DDR2 D램 대비 50% 이상 생산성 향상이 가능해 원가 경쟁력이 강화될 것으로 기대된다.

한편, 올해 하반기 D램 시장은 윈도우 비스타가 일반 사용자용 PC 뿐만 아니라 기업용 PC까지 본격 채용되면서 메인 메모리의 용량의 증가와 고성능화가 가속화 될 것으로 전망된다.

또한, 주력 제품이 512메가(Mb)에서 1기가(Gb)로 급격히 전환됨은 물론 차세대 제품인 DDR3 D램 채용 시스템이 시장에 선보이면서 D램 시장에 많은 변화가 있을 것으로 예상된다.

이번에 인텔 인증을 완료한 삼성전자의 50나노급 D램 기술은 2008년 상반기 양산 예정이며 DDR2뿐만 아니라, DDR3, 그래픽, 모바일 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용될 계획이다.