하이닉스, 초고속 차세대 메모리 DDR3 업계 최초 인증 획득

하이닉스반도체는 초고속 차세대 메모리인 DDR3에 대한 제품 인증을 업계 최초로 획득했다고 1일 밝혔다.

하이닉스반도체는 미 인텔사로부터 80나노 공정기술로 제작된 1Gb(기가비트) DDR3 단품 뿐 아니라, 이 단품을 이용하여 만든 PC용 고용량 메모리 모듈도 함께 인증을 받았다.

이번에 인증을 획득한 메모리 모듈은 1GB(기가바이트)와 2GB 두 가지 용량으로, 1.5V의 동작전압에서 현재까지 개발된 D램 제품 중 최고속인 800Mbps와 1066Mbps의 동작속도로 작동한다.

PC 및 서버 등의 메모리로 현재 가장 많이 사용되고 있는 DDR2 제품은 최대 800Mbps까지 동작 속도를 낼 수 있으나, DDR3는 두 배에 달하는 1600Mbps까지 가능해 컴퓨터의 성능을 획기적으로 향상시킨다.

IT기기의 고사양화에 따라 올해 말부터 DDR2에 이어 DDR3에 대한 수요가 본격적으로 일어날 것으로 예상되며, 하이닉스반도체는 업계 최초로 DDR3 제품의 인증을 획득함에 따라 DDR3 시장을 선점하게 됐다.

DDR3 제품은 또한 DDR2와 비교할 때 동작전압이 1.8V에서 1.5V로 낮아져 전력 소비가 25% 이상 줄어드는 ‘절전형’ 제품이어서 전자기기의 에너지 효율화 추세에도 부합한다.

특히 이 제품은 동작을 보다 안정적으로 만들기 위해 입체적으로 설계한 ‘3차원 트랜지스터’ 구조를 적용해 누설 전류를 감소시킴으로써 전력 소모가 더욱 줄었고, 데이터 저장능력도 향상됐다.

하이닉스반도체 D램 개발 사업부 기중식 상무는 “이번에 인증을 받은 1Gb DDR3는 칩 크기가 작아 메모리 모듈 위에 평면 2열로도 배치할 수 있어 대용량 모듈을 만드는 데 유리하며 제조 비용도 크게 줄일 수 있다”고 설명했다.

시장조사업체 아이서플라이는 DDR3 시장이 내년 말까지 전체 D램 시장의 25% 규모로 성장하고, 2010년경에는 시장 주력 제품으로 자리 잡을 것으로 전망하고 있다. 이번 인증으로 DDR3 시장에 한 발 앞서 진출하게 된 하이닉스반도체는 올해 3분기부터 이번에 인증 받은 제품을 양산하고, 연말에는 66나노 공정으로도 생산을 시작할 예정이다.