삼성전자-SK하이닉스, D램시장 73.5%점유…5분기 연속 최고치

삼성전자와 SK하이닉스가 글로벌 반도체 시장 지배력을 확고히 하고 있다. 두 업체는 5분기 연속 최고 기록을 경신하며 ‘반도체 코리아’를 이끌었다.

15일 시장조사기업체 IHS테크놀로지에 따르면 2015년 3분기 글로벌 D램 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스 점유율 합계는 73.5%로 전분기(72.5%)에 이어 다시 한번 역대 최고치를 경신했다.

두 회사의 점유율 합계는 지난해 3분기(68.3%) 종전 최고치인 2012년 4분기의 67.4%를 넘어선 이후 5분기 연속 새로운 기록을 써나가고 있다. 양사의 점유율은 2014년 4분기 70.5%로 70%대에 진입한 이후, 2015년 1분기 71.7%, 2분기 72.5%를 기록하며 점유율을 지속 확대하고 있다.

특히 삼성전자는 올 3분기 45.9%의 점유율로 단일 기업 역대 최고치를 달성했다. SK하이닉스가 27.6%로 2위를 차지했고, 마이크론(19.8%)과 난야(2.8%), 윈본드(1.3%)가 뒤를 이었다.

SK하이닉스도 전분기(27.3%) 대비 점유율이 0.3%포인트 상승하며 3위 마이크론과의 격차를 7.8%포인트 차이로 늘렸다. 삼성전자, SK하이닉스와 함께 글로벌 D램 시장 3강을 이루고 있는 마이크론은 2013년 4분기 28.2%의 최고 점유율을 기록한 이후 7분기 연속 점유율 하락세를 보이고 있다. 이번 분기에는 일본 반도체 업체 엘피다를 인수 이후 처음으로 점유율이 10%대로 떨어졌다.

D램 가격 하락세와 중국의 추격으로 내년 반도체 시장이 녹록지 않은 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스는 초격차 기술로 시장 주도권을 유지해 나간다는 전략이다. 삼성전자는 이르면 내년 초 업계 최초로 18나노 미세공정을 도입할 계획이다. 아울러 현재 D램 생산라인 17라인의 웨이퍼 생산량을 월 4만장에서 5만장으로 늘릴 예정이다.

SK하이닉스는 M14 팹의 웨이퍼 생산량을 1만5000장에서 7만장으로 늘려나갈 계획이다. 더불어 올 4분기 20나노 초반 공정에 돌입하고, 내년 중반경 전체 생산량의 절반 이상에 20나노 초반 공정을 적용할 방침이다.

현재 삼성전자가 20나노, SK하이닉스 20나노 초반, 마이크론이 20나노 후반의 공정 기술력을 가지고 있다.

IHS테크놀로지는 “삼성전자는 20나노 미세공정으로의 원활한 이행을 통해 전체 D램 산업 성장률인 24%보다 훨씬 높은 31%의 출하량 증가율로 역대 최고 점유율을 기록했다”며 “2016년은 D램 시장에서 ‘추격의 해’로, D램 시장은 공급과잉 상태에 놓이지만 추격하는 업체들은 원가경쟁력을 위해 다음 단계 기술로의 이행을 가속화할 수밖에 없다”고 설명했다.