박성욱 사장 “20나노 초반 D램 성공적 양산… 낸드 경쟁력 강화”

입력 2015-03-20 10:55

김지영 기자 gutjy@etoday.co.kr

URL공유
카카오톡

페이스북
X(트위터)

작게보기
기본크기
크게보기

(사진제공=SK하이닉스)

SK하이닉스가 올해 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 경쟁력 강화를 선언했다.

박성욱<사진> SK하이닉스 사장은 20일 경기도 이천 SK하이닉스 본사에서 열린 제67기 정기주주총회에서 “20나노 초반 D램을 성공적으로 양산해 선두 업체로서의 경쟁력을 지속 유지할 것”이라며 “낸드는 TLC와 3D 등 소자경쟁력을 강화함과 동시에 솔루션 역량을 보강함으로써 시장에서의 확실한 입지를 굳히겠다”고 말했다.

이어 “올 상반기중 완공되는 M14는 SK하이닉스의 제조경쟁력을 강화하는 데 핵심적인 역할을 하게 될 것인 만큼 모든 역량을 집중해 업계 최고 수준의 양산체계를 차질 없이 구축하도록 하겠다”고 덧붙였다.

차세대 메모리 기술 확보도 강조했다. 박 사장은 “미세공정 전환 기술의 한계를 극복할 수 있는 차세대 메모리 기술을 적기에 확보해 미래 성장 기반을 더욱 공고히 하겠다”며 “이를 바탕으로 ‘세계 최고의 메모리 기반 반도체 솔루션 회사’라는 비전 달성을 목표로 올해도 SK하이닉스의 모든 구성원이 최선의 노력을 다할 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 지난해 우호적인 D램 시장상황을 반영, 최적화된 자원 활용을 통해 생산 효율성을 높이고 고부가가치 제품 위주 탄력적인 생산·판매 계획을 운영한 결과 수익성을 극대했다. 더불어 제조 운영 효율화로 고객 적시 대응체계를 더욱 강화하고 세계 최초로 선보인 최대용량 128GB DDR4 모듈 라인업과 TSV 기반 차세대 HBM 제품 등을 통해 기술경쟁력을 입증했다.

한편, SK하이닉스는 지난해 연결기준 매출 17조1000억원, 영업이익 5조1000억원의 실적을 거두며 2013년에 이어 사상 최대의 실적을 기록했다.