아이피에스, 극성 처리를 이용한 박막 증착 관련 특허 취득

입력 2006-11-28 12:56

김정화 기자 kss@e-today.co.kr

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아이피에스는 28일 극성 처리를 이용한 박막 증착 방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.

아이피에스 관계자는 "본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 단차 피복율을 조절하는 박막 증착 방법에 관한 것이다."라고 설명했다.

이어 "본 발명은 단차를 가진 반도체 기판의 표면에 친수성 혹은 소수성의 극성 처리를 하여, 전구체(예를 들어 유기금속 소스)의 극성에 따라, 전구체가 단차를 따라 표면에 흡착되는 정도를 조절함으로써, 박막의 단차피복율을 조절할 수 있을뿐만 아니라 공정의 진행에 따라 친수성 처리와 소수성 처리를 적절히 조합하면 기판에서의 위치에 따라 단차피복율을 시간에 따라 조절할 수 있다."고 덧붙였다.

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