아이피에스, HfSiON 박막 증착 방법 특허 취득

입력 2006-11-15 16:15

김정화 기자 kss@e-today.co.kr

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아이피에스는 15일 HfSiON 박막 증착 방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.

아이피에스 관계자는 "본 발명은 4원계인 하프늄실리옥시나이트라이드(HfSiON) 박막 증착 방법에 관한 것으로, HfN막과 SiN막의 반응을 통하여 HfSiN막을 형성하고 이후 HfSiN막과 O소스를 반응시켜 HfSiON박막을 증착하거나, 또는 HfO막과 SiO막의 반응을 통하여 HfSiO막을 형성하고 이후 HfSiO막과 N 소스를 반응시켜 HfSiON박막을 증착하는 박막증착 방법이다"라고 설명했다.

이어 "이러한 과정을 통하여 옥사이드화를 억제하고 나이트로화를 촉진할 수 있고, 각 물질의 원자조성을 일정하게 할 수 있을 뿐만 아니라 상기한 싸이클 공정을 반복함으로써 증착되는 HfSiON막의 두께 조절을 용이하게 할 수있다"고 덧붙였다.

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