초박형 실리콘 나노 전선 개발의 이론 배경 세계 최초 제시

입력 2015-01-05 11:18수정 2015-01-05 11:18

하유미 기자 jscs508@etoday.co.kr

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류훈 KISTI 선임연구원, 나노과학 분야 세계적인 권위지 ‘나노 레터스’에 게재

반도체 집적도를 보다 높일 수 있는 초박형 실리콘 나노 전선 개발의 길이 열렸다.

한국과학기술정보연구원(이하 KISTI)은 류훈 슈퍼컴퓨팅본부 슈퍼컴퓨팅응용실 선임연구원이 슈퍼컴퓨터를 활용한 계산을 통해 불순물 반도체 기반의 초박형 전선 공정을 위한 이론적 배경을 세계 최초로 제시했다고 5일 밝혔다.

류훈 박사는 불순물인 ‘인(Phosphorus)’ 원자의 분포 경향과 실리콘 나노선 크기 사이에 상관관계를 이론적으로 규명해냈다. 이번 연구를 통해 안정적인 전기전도도를 지니는 불순물 반도체 전선 개발을 위해 공정과정에서 겪게 되는 시행착오를 크게 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

한편 이번 연구는 인텔 초병렬 컴퓨팅 지원사업(IPCC·Intel Parallel Programing Center)의 일환으로 수행 중인 ‘파이 코프로세서(Phi coprocessor) 기반의 고성능 슈뢰딩거 방정식 병렬계산 SW 개발 및 이의 반도체 소자 설계 활용연구’로 진행됐다. 해당 연구결과는 지난 3일(한국시간) 나노과학 분야에서 세계적인 영향력을 지닌 ‘나노 레터스(Nano Letters)’ 온라인판에 게재됐다.