-1200V 11mΩ 대면적 SiC MOSFET 개발 성과… 국내 SiC 공급망 구축 기반 마련
차세대 전력반도체 시장에서 국산화 경쟁이 본격화되는 가운데 루트세미콘(대표 장근호)과 SK파워텍이 공동 개발한 SiC(실리콘카바이드, 대표 이동재) 전력반도체 시제품이 첫 엔지니어링 런(Engineering Run)에서 평균 수율 80%를 기록했다고 밝혔다.
양사는 1200V 11mΩ 대면적 SiC MOSFET 개발을 성공적으로 마무리하고 국내 생산 기반 구축에 속도를 내고 있다.
지난 4월 계약 체결 이후 공동 개발에 착수해 5월 첫 Tape Out을 완료했으며 6월 말 첫 Fab Out을 성공적으로 마치면서 개발 제품의 제조 가능성을 확인했다.
특히 첫 번째 엔지니어링 런에서 평균 수율 80%를 확보한 점은 이번 프로젝트의 핵심 성과로 꼽힌다. SiC MOSFET은 전기차와 산업용 전력변환 장치 등에 활용되는 차세대 전력반도체로, 대면적·고전압 제품일수록 공정 난도가 높아 초기 개발 단계에서 안정적인 수율 확보가 쉽지 않은 것으로 알려져 있다.
이번 성과는 루트세미콘의 전력반도체 설계 기술과 SK파워텍의 SiC 파운드리 공정 기술이 결합한 결과다. 양사는 이를 계기로 해외 파운드리에 의존해왔던 생산 체계를 국내로 전환할 수 있는 기반을 확보했다.
개발 제품은 자동차용 EV 충전기(EV Charger)를 주요 적용 분야로 겨냥하고 있다. 향후 자동차용 SiC 전력반도체 시장 확대에 대응하는 한편, 국내 전력반도체 생태계 경쟁력 강화에도 기여한다는 계획이다.
루트세미콘은 이번 개발을 통해 설계 경쟁력을, SK파워텍은 SiC 파운드리 제조 역량을 각각 입증했다는 평가를 받고 있다. 양사는 후속 개발과 양산 협력을 지속하며 국내 SiC 전력반도체 산업의 경쟁력을 높여 나갈 방침이다.
장근호 대표는 "첫 엔지니어링 런에서 높은 수율을 확보한 것은 양사의 기술 협력 성과"라며 "국내 생산 체계를 기반으로 글로벌 시장에서도 경쟁력을 높일 수 있도록 지속해서 기술을 고도화하겠다"고 말했다.
이동재 대표는 "이번 프로젝트는 SiC 파운드리 공정의 안정성과 제조 경쟁력을 확인한 사례"라며 "양산 단계에서도 품질과 공급 안정성을 바탕으로 고객 경쟁력 향상에 기여하겠다"고 전했다.
