[컨콜] 삼성전자 "D램·낸드서 모두 기술 초격차 유지할 것"

입력 2021-07-29 10:54

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삼성전자는 29일 진행된 2분기 실적 콘퍼런스 콜에서 "D램과 낸드 부문에서 향후 지속 가능한 기술력 확보 차원에서 다양한 연구·개발 지속 중"이라며 "원가경쟁력과 성능 등 모든 면에서 경쟁력을 지속적으로 확보할 예정"이라고 밝혔다.

최근 176단 제품 등을 비롯해 타사의 기술 추격 속도가 빠른 V낸드에 대해 "삼성의 가장 큰 고민 지점은 단수 그 자체가 아니다. 삼성전자는 이미 싱글 스택을 기반해 128단 V낸드를 생산하면서 업계 최고 에칭 기술을 확보했다"라며 "단수에만 집중하기보다는, 어떤 식으로 쌓아올려야 효율성 측면이나 원가 측면에서 경쟁력을 갖출 수 있는지 최적의 시점과 방법을 고민하고 있다"라고 강조했다.

D램에 대해선 "세대가 거듭되고 공정 미세화되며 원가 절감 기울기가 낮아지고 난도 역시 높아지는 게 사실"이라면서도 "14나노 기반 DDR5 제품은 EUV(극자외선)를 다섯 레이어에 적용해 공정 일부를 절감해 원가경쟁력을 갖췄다"라고 덧붙였다.

[컨콜] 삼성전자 "D램·낸드서 모두 기술 초격차 유지할 것"

삼성전자(주) (005930)