아이피에스, 플라즈마를 이용한 ALD 박막 증착 방법 특허 취득

입력 2006-10-25 15:33

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아이피에스는 플라즈마를 이용한 ALD 박막 증착방법과 관련해 특허를 취득했다고 25일 밝혔다.

아이피에스 관계자는 "이번 발명은 박막을 구성하는 소스와 반응제 이외에 양질의 박막을 얻도록 하기 위하여 별도의 반응제(제1반응제-H2, 제2반응제-H2또는 H원자를 포함하는 화합물)와 플라즈마를 인가함으로써, 양질의 박막을 비교적 저온에서 형성할 수 있다"고 설명했다.

이어 "플라즈마가 제2반응제의 피딩과 동시에 또는 피딩이 진행되는 동안에 인가되어 피딩이 완료될 때 동시에 종료되도록 함으로써, 박막을 구성하는 소스 및 반응제를 구성하는 원소간의 결합이 깨지는 것을 방지할 수 있어 박막 내에 잔존물질의 함량이 높아지거나 원하지 않는 불순물의 함량이 높아지는 것을 방지함은 물론, 반응 부산물이 여기되어 형성이 진행 중인 박막과의 반응이 일어나는 것을 방지할 수 있어 양질의 박막을 얻을 수 있다"고 덧붙였다.