과기정통부, 시스템반도체 10년간 2400억 투자

입력 2019-05-09 14:49

과학기술정보통신부는 초저전압 및 미세전류 소자 등 새로운 반도체 원천기술을 개발하는 데 10년간 2400억원을 투자한다고 9일 밝혔다.

이번 조치는 지난 4월 발표된 '시스템 반도체 비전과 전략'의 후속방안이다. 국내 시스템 반도체 산업의 중장기 경쟁력 확보를 위한 목적에서다.

과기부는 초고성능·초저전력의 신소자를 개발한다는 목표다. 초저전압 및 미세전류 제어 소자, 3차원 소자, 두뇌모사 소자 등 신소자 원천기술 개발이 주요내용이다. 신소자의 집적·검증 기술개발도 병행할 예정이다.

관련 석ㆍ박사급 전문인력 양성을 위해 '융합전공'도 신설할 예정이다.

이를 위해 5개 대학에 6년간 100억원을 지원한다.

이 대학들은 시스템 반도체 융합 전공을 신설하고 산학협업 연구, 기업수요 특화 분야 시스템 반도체 설계 프로젝트인 캡스톤 프로젝트 등을 통해 고급 설계 전문인력을 배출할 예정이다.