대만 난야, D램 공장 설립에 12조 투자

입력 2021-04-21 15:00

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올해 말 착공, 2024년 반도체 양산 목표
3단계 걸쳐 7년간 12조 원 투자 예정
난야 “삼성, SK하이닉스와의 격차 좁힐 것”

▲20일 대만 신베이시에서 왕원위안(가운데) 포모사플라스틱그룹 회장을 비롯한 난야 임직원들이 D램 공장 신축 행사에 참석해 사진 촬영에 응하고 있다. 출처 난야 홈페이지

전 세계 D램 업계 4위인 대만 난야가 글로벌 반도체 부족 현상을 탈피하기 위해 12조 원에 달하는 대규모 투자에 나선다.

21일 대만 연합보에 따르면 전날 난야는 2024년 반도체 양산을 목표로 올해 말 D램 공장을 착공한다고 발표했다. 신설 공장은 신베이시 타이산 난린 과학단지에 설립되며, 향후 대만 최초의 독자적인 10㎚(나노미터ㆍ10억분의 1m) 제조 기술에 기반을 둔 12인치 D램을 생산할 예정이다.

난야는 4년 전 독자적으로 10㎚ 공정 기술을 개발하고 마이크론으로부터 20㎚ 기술을 빌려 3공장을 건설하겠다고 발표했다. 이후 자금을 조달해 본격적인 공장 신축에 들어가게 됐다.

투자는 7년간 3단계에 걸쳐 진행되며 총 3000억 대만달러(약 12조 원)가 투입된다. 난야 모기업인 포모사플라스틱그룹의 왕원위안 사장은 “향후 몇 년간 신베이시에 계획된 투자는 지난 몇 년간 그룹이 과학기술 산업에 투자한 것 중 최대 규모가 될 것”이라고 말했다.

이와 함께 난야는 기존 공장에서 10㎚ 칩을 1단계 시범 생산하고 공정을 업그레이드하는 데 약 600억 대만달러를 투자하며, 난야PCB에도 80억 대만달러를 투자할 계획이다.

회사는 공장이 1단계 수준에서 가동되면 월 1만5000개의 웨이퍼를 생산하고 최종 3단계에는 4만5000개를 생산할 것으로 내다봤다. 이를 통해 발생하는 신규 일자리는 2000개로, 생산액은 1000억 대만달러 이상으로 추산했다.

리페이잉 난야 사장은 “3대 DRAM 업체인 삼성과 SK하이닉스, 마이크론에 비하면 난야의 기술력은 아직 격차가 있다”며 “자체 개발한 제조공정이 적용된 공장 건설을 통해 격차를 좁힐 수 있을 것”이라고 전망했다.