광전자는 21일 자기정렬을 통한 전력용 수직 더블 게이트 모스페트의 구조 및 제조방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.
광전자 관계자는 "기존 6회 마스킹 작업을 거치는 MOSFET 공정을 3회의 마스킹 작업으로 단축시키는 방법으로 MOSFET를 형성하여 기존 공정 대비 마스킹 공정에 대한 공정비율을 절반으로 감소시켰으며, 도핑 공정이 자기정렬되므로 기존의 정렬탈락현상으로 인해 발생하는 문제점을 제거했다."고 설명했다.
광전자는 21일 자기정렬을 통한 전력용 수직 더블 게이트 모스페트의 구조 및 제조방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.
광전자 관계자는 "기존 6회 마스킹 작업을 거치는 MOSFET 공정을 3회의 마스킹 작업으로 단축시키는 방법으로 MOSFET를 형성하여 기존 공정 대비 마스킹 공정에 대한 공정비율을 절반으로 감소시켰으며, 도핑 공정이 자기정렬되므로 기존의 정렬탈락현상으로 인해 발생하는 문제점을 제거했다."고 설명했다.