삼성전자, VLSI학회 4년 연속 최다 논문 채택

입력 2006-06-19 11:15

이규성 기자 bobos@e-today.co.kr

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삼성전자는 '2006 VLSI 심포지엄'에서 4년 연속 최다 논문 채택을 달성해 세계 최고의 반도체 기술력을 다시 한번 입증했다고 19일 밝혔다.

VLSI 학회는 매년 6월 미국 하와이와 일본 교토에서 교대로 개최되며, 삼성/인텔/NEC/IBM/도시바 등 세계 유수의 반도체 업체들이 참여하는 세계적 권위의 반도체 관련 학회다.

이번 학회에서는 19편의 삼성전자 논문이 채택됐으며 이로서 삼성전자는 2003년 21건, 2004년 22편, 2005년 17건에 이어 4년 연속 최다 논문 선정 기업이 됐다. 삼성전자가 이번에 발표한 논문들은 최근 반도체 업계 주요 화두인 초(超)미세 공정 및 초(超)고용량 제품 구현의 한계를 돌파할 수 있는 차세대 핵심기술이다.

이에따라 초(超)미세공정 신(新)소자인 소노스(SONOS)와 타노스(TANOS)를 개발, 향후 메모리 초(超)미세화 및 고(高)집적화 달성의 발판을 마련했다고 덧붙였다. 삼성전자가 기존 한계로 여겨져 오던 40나노 이하 메모리 미세공정 기술을 실현할 수 있는 새로운 신(新)소자기술을 개발, 현재 6년 연속 이어 가고 있는 '반도체신성장론' 은 앞으로도 계속 실현될 전망이다.

삼성전자 황창규 사장은 지난 3월 대만에서 열린 삼성 모바일 솔루션 포럼에서 `반도체 신성장론`에 의한 테라급 플래시메모리 개발을 예고하면서 메모리 회로 선폭(공정기술)의 미세화와 고집적화에 대한 밝은 전망을 내놓은 바 있다.

업계에서는 이제까지 기존 소자로는 셀간 간섭 현상 등으로 40나노 이하 초(超)미세 공정 개발에 한계가 있을 것으로 예견됐다.