삼성전자, 중국 내 메모리 생산법인에 2조6059억원 출자

입력 2012-04-02 16:17

김지호 기자

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삼성전자는 2일 중국 내 메모리 생산법인 설립을 위해 2조6059억원을 출자키로 결정했다고 밝혔다.

회사 측은 중국 섬서성 서안시 고신기술산업개발구에 초기 10nm급 NAND Flash 메모리 신규라인 설립을 추진 중이며, 이번 출자는 향후 수년간 총 투자 예상금액 약 70억달러 중 자본금 23억달러에 대한 출자 승인 건이라고 설명했다.

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