삼성전자 "올해말 30나노 D램 50%...20나노 이하 낸드 70%"

입력 2011-04-29 15:42

  • 고종민 기자 kjm@etoday.co.kr

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삼성전자는 29일 오후 1분기 실적 한국어 컨퍼런스 콜에서 "연말 기준으로 D램의 예상 공정 수준은 30나노급 비중을 50%으로 예상한다"며 "20나노급 이하 낸드 메모리 생산 비중은 70% 수준일 것"이라고 말했다.

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