하이닉스, 30나노 차세대 2기가 DDR4 D램 개발

수정 2011-04-04 10:05

입력 2011-04-04 09:10

고종민 기자

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업계 최고 2400 Mbps 전송속도...2012년 하반기 양산계획

▲30나노급 2기가비트(Gb) DDR4 D램 및 2기가바이트(GB) ECC-SODIMM (하이닉스)

하이닉스반도체는 4일 국제 반도체 표준협의 기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가비트(Gb) 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다.

이 부품을 사용해 초소형 서버 등에 사용되는 2기가바이트(GB) ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module)도 개발을 마쳤다.

DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2배 가량 높인 차세대 D램 규격이다.

이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 업계 최초로 2400Mbps의 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 DDR3 1333Mbps 제품대비 처리속도가 80% 정도 향상됐다.

2400Mbps의 데이터 전송속도는 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 ECC-SODIMM 제품을 통해 DVD급 영화 4~5편에 해당되는 19.2기가바이트의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.

또 D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술이 적용돼 1.5V DDR3 대비 50% 가량 전력소모가 줄어들었다.

김지범 하이닉스 마케팅본부장 전무는 “이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경∙저전력∙고성능 특성을 모두 만족시켰다”며 “기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것” 이라고 밝혔다.

한편 하이닉스는 차세대 공정을 적용한 세계 최고수준의 DDR4 D램을 2012년 하반기부터 양산해 DDR4 D램 시장을 선도한다는 계획이다.