삼성· 하이닉스 신기술로 원가 절감

세계 반도체 가격이 하락하면서 세계 1, 2위 업체인 삼성전자반도체부문과 하이닉스반도체가 기술개발을 통한 원가절감에 박차를 가하고 있다.

30일 업계에 따르면 하이닉스반도체가 생산성을 두 배로 높일 수 있는 패키지 양면 기판 개발에 성공한데 이어 삼성전자도 50나노급 초미세 공정을 적용한 신제품을 개발, 생산효율성을 대폭 높였다.

삼성전자는 최근 세계 최초 50나노급 초미세 공정을 적용한 2기가비트 DDR3 D램 반도체 개발에 성공, 오는 10월 양산에 들어갈 예정이다.

삼성전자 관계자는 "D램 반도체가 작으면 작을수록 300mm웨이퍼에서 생산되는 규모가 증가한다"면서 "10월 양산될 50나노급은 기술력과 함께 생산성 향상에 따른 원가 절감이 주된 내용"이라고 말했다.

이 제품은 기존 60나노 2기가 비트 DDR2 D램에 비해 데이터 속도가 1.6배 향상됐고, 칩의 크기도 작아져 생산효율성이 기존 제품 대비 60% 향상됐다는 것이 삼성 측의 설명이다.

섬성전자는 이 같은 공정단순화의 영향으로 양산성이 증가하고 생산기간 또한 단축돼, 원가 경쟁력이 좋아질 것으로 기대하고 있다.

하이닉스도 생산공정을 절반 가까이 줄인 세계 최초 신개념 패키지 양면기판을 개발, 생산성을 2배로 높였다고 밝혔다.

이 기술은 기존 단일 기판 생산 방식에서 벗어나 한 번의 공정에 두 개의 기판(패널)을 위ㆍ아래로 붙여 생산하는 방식이다. 하이닉스는 신기술 도입으로 연간 전체 패키지재료비의 15% 가량을 감소할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

하이닉스 관계자는 "그 동안 한 번에 패키지 기판 한 면만 생산했던 것이 한 번에 두 배로 나오다 보니 생산성이 크게 높아 질 것"이라면서 "패키지 양면 기술의 핵심은 신기술 개발에 따른 원가절감"이라고 말했다.

업계 관계자는 이와 관련 "반도체 시장이 워낙 안 좋은 상황으로 삼성전자와 하이닉스가 시장성 보존을 위해 원가절감 효과가 있는 기술개발에 중점을 두는 것으로 파악된다"고 진단했다.