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삼성전자·SK하이닉스, 2020년까지 생산라인 5곳 건설...“기술격차 유지”
입력 2018-10-03 10:00

삼성전자·SK하이닉스가 2020년까지 국내외에 최소 5개 반도체 생산라인을 추가한다. 신규라인은 모두 첨단 기술을 적용해 양사는 초격차를 유지하기 위한 전략적 투자라고 설명한다.

3일 업계에 따르면 SK하이닉스가 4일 충북 청주 테크노폴리스에서 M15 공장 준공식을 개최한다.

M15 공장은 총 23만㎡ 면적에 건설 투자금액만 2조2000억 원이 투자됐다. 추가 설비투자를 포함해서 단계적으로 총 15조 원이 투입될 예정이다.

신설된 공장에는 72단 3D 낸드플래시와 함께 현재 개발단계인 5세대 96단 낸드플래시도 생산해 해외 업체와 기술 경쟁력 격차를 벌린다는 방침이다.

SK하이닉스 메모리 생산라인은 2005년 가동을 시작한 경기도 이천 M10(D램)을 비롯해 청주 M11·M12(낸드), 이천 M14(D램·낸드)와 중국 우시 C2(D램)에 이어 여섯 곳으로 늘어난다.

최근에는 올해 연말 완공 예정으로 우시 공장 확장 공사를 진행하고 있다. 경기도 이천에 차세대 첨단 미세공정인 EUV(극자외선) 장비를 도입한 M16 생산라인도 연말 착공해 2020년 10월 완공할 계획이다.

전 세계 메모리 반도체 시장을 주도하고 있는 삼성전자도 3곳에서 건설을 진행하고 있다. 국내에서는 경기도 화성에 EUV 라인을, 평택엔 2기 메모리 라인을 각각 건설하고 있다. 중국 시안에는 기존 V낸드와 패키지 라인 외에 두 번째 생산라인을 구축하고 있다.

화성과 시안 라인은 내년 완공해 양산 체제에 돌입할 예정이다. 평택 2기 라인은 2020년 완공이 목표다.

현재 삼성전자는 기흥에 파운드리·발광다이오드(LED), 화성에 낸드·D램 및 파운드리, 평택에 낸드·D램, 온양에 패키지 라인을 각각 가동하고 있다. 해외에는 중국 시안에 V낸드, 쑤저우에 패키지, 미국 텍사스주 오스틴에 파운드리 라인을 각각 운용하고 있다.

삼성전자·SK하이닉스가 적극적인 투자에 나선 배경에는 향후 시장 수요에 양사의 낙관적인 전망이 있다. 최근 메모리 시장에 ‘고점 논란’이 일고 있지만 플래그쉽 스마트폰 출시, 데이터 센터 설립 등 고사양 반도체에 대한 수요는 여전히 높은 상황이다.

또한 중국이 반도체 관련해 대규모 설비·기술 투자에 나서는 상황에서 발 빠른 투자를 통해 기술 격차를 더 벌리려는 전략적 선택이라는 평가도 있다.

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